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真空鍍膜設(shè)備

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  濺鍍通常指的是磁控濺鍍,屬于高速低溫濺鍍法。該工藝要求真空度在1×10-3Torr左右,即1.3×10-3Pa的真空狀態(tài)充入惰性氣體氬氣(Ar),并在塑膠基材(陽極)和金屬靶材(陰極)之間加上高壓直流電,由于輝光放電(glowdischarge)產(chǎn)生的電子激發(fā)惰性氣體,產(chǎn)生等離子體,等離子體將金屬靶材的原子轟出,沉積在塑膠基材上。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍。
  鍍膜設(shè)備離子鍍是在真空條件下,利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)部分電離,并在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下,將蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)物沉積在基片上的方法。其中包括磁控濺射離子鍍、反應(yīng)離子鍍、空心陰極放電離子鍍(空心陰極蒸鍍法)、多弧離子鍍(陰極電弧離子鍍)等。